皇冠买球网「wang」（www.hg108.vip）_东芝《zhi》开发全球首款双栅极RC-IEGT 可《ke》降低开关损耗

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【TechWeb】6月17日{ri}消息，东芝电子元件及存（cun）储装置株式会社和东芝株式会社（Toshiba Corporation，统称 “东芝”）共同研发『fa』出全球首款4.5-kV双栅极反向传导注入增强型栅极晶【jing】体管（guan）（RC-IEGT）。东《dong》芝证实，其导通关断时的总功耗（开关损耗）比传统单{dan}栅极结构降《jiang》低24%。

功率器件是供电“dian”和管理电源的组 zu[件，对于降低各种电子设备“bei”功耗和实现碳中和社会至关重要。在《zai》全球脱碳和{he}节能的趋势下，IEGT被广泛用于大功率逆变器（qi）和高压直流输电等需要大电流【liu】、高能效，以及更低功率损耗的应用。由〖you〗于在IEGT开启时降低损耗（导通损耗）增加开关损耗，因此很难降低IEGT功耗。

东芝开发了『liao』一种4.5kV双栅极RC-IEGT，其空穴 xue[控制栅《zha》极（CG）与主栅极（MG）分离。与单栅极器件〖jian〗中的反向恢复相比，这种方法通过在关断和注入之前控〖kong〗制空穴提取来降低损耗。在IEGT模式下，电流从基板的背面流向正面，CG关断之后MG关断，减【jian】少基板中累积的空穴，降低 di[关‘guan’断损耗。在二极管模式下，电流从基板正面流向背面‘mian’，MG和CG在反向恢复之前同时导通，减少‘shao’了基【ji】板中累积的电子，减少了反向恢复损耗。

新开（kai）发的双栅极RC-IEGT结合 he[栅极控制技术，关断和导通损耗“hao”分别比传统单栅极结构降低24%和18%，反向恢复损耗降低32%。因「yin」此，实际测量值中总开关损耗降低24%，而导通损耗没有任何增加。