皇冠买球网「wang」(www.hg108.vip)_东芝《zhi》开发全球首款双栅极RC-IEGT 可《ke》降低开关损耗

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【TechWeb】6月17日{ri}消息,东芝电子元件及存(cun)储装置株式会社和东芝株式会社(Toshiba Corporation,统称 “东芝”)共同研发『fa』出全球首款4.5-kV双栅极反向传导注入增强型栅极晶【jing】体管(guan)(RC-IEGT)。东《dong》芝证实,其导通关断时的总功耗(开关损耗)比传统单{dan}栅极结构降《jiang》低24%。

功率器件是供电“dian”和管理电源的组 zu[件,对于降低各种电子设备“bei”功耗和实现碳中和社会至关重要。在《zai》全球脱碳和{he}节能的趋势下,IEGT被广泛用于大功率逆变器(qi)和高压直流输电等需要大电流【liu】、高能效,以及更低功率损耗的应用。由〖you〗于在IEGT开启时降低损耗(导通损耗)增加开关损耗,因此很难降低IEGT功耗。

东芝开发了『liao』一种4.5kV双栅极RC-IEGT,其空穴 xue[控制栅《zha》极(CG)与主栅极(MG)分离。与单栅极器件〖jian〗中的反向恢复相比,这种方法通过在关断和注入之前控〖kong〗制空穴提取来降低损耗。在IEGT模式下,电流从基板的背面流向正面,CG关断之后MG关断,减【jian】少基板中累积的空穴,降低 di[关‘guan’断损耗。在二极管模式下,电流从基板正面流向背面‘mian’,MG和CG在反向恢复之前同时导通,减少‘shao’了基【ji】板中累积的电子,减少了反向恢复损耗。

新开(kai)发的双栅极RC-IEGT结合 he[栅极控制技术,关断和导通损耗“hao”分别比传统单栅极结构降低24%和18%,反向恢复损耗降低32%。因「yin」此,实际测量值中总开关损耗降低24%,而导通损耗没有任何加。

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     发布于 2022-07-03 00:11:06  回复
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